姓名：蔡雨萌
职称：讲师
所在院系（所）：电气与电子工程学院 现代电子科学技术研究所
研究方向（Focus Area）
Ø 先进输电技术
Ø 电力电子器件特性、驱动与可靠性测试
联系方式
办公地址：华北电力大学主楼A座801
电子邮箱：caiyumeng@ncepu.edu.cn
一、个人简介
蔡雨萌，博士，1996年6月生，电气与电子工程学院新讲师博士后。2018年、2024年于华北电力大学（保定）、华北电力大学电气与电子工程学院分别获得工学学士、博士学位。2020年1月-7月获华北电力大学硕士短期国际访学校内资助，赴美国阿肯色大学高功率密度电子中心联合培养半年，师从Zhong Chen副教授。2022年8月-2023年8月获国家留学基金委创新型人才国际合作培养项目资助，赴瑞典皇家理工学院及瑞典国立研创院联合培养一年，师从IEEE Fellow Hans-Peter Nee。主要从事高压大功率半导体器件封装与可靠性测试等研究工作。参与国家自然科学基金项目1项、北京市自然科学基金项目1项、智能电网国家科技重大专项2项、国家重点研发计划课题2项，国家电网有限公司总部科技项目1项、欧盟H2020项目1项。发表学术论文20余篇，获评华北电力大学优秀博士论文、优秀博士毕业生等奖项，2025年当选为中国电源学会第三届女科学家工作委员会委员。
二、主要科研项目
[1] 北京市自然科学基金，电动汽车电机驱动系统高效高动态控制和调制技术及应用，2024-2027，项目骨干
[2] 智能电网国家科技重大专项课题，高压启动、低压控制混合集成的电源芯片技术，2025-2029，课题任务负责人
[3] 智能电网国家科技重大专项课题，自主化封装绝缘材料在高压大功率半导体器件中的封装匹配工艺与可靠性评估，2026-2028，课题任务负责人
[4] 国家重点研发计划课题，高压大功率 SiCIGBT 器件封装多芯片并联均流、电气绝缘、电磁兼容和驱动保护方法，2018-2021，课题骨干
[5] 国家重点研发计划课题，高压大容量碳化硅功率器件和模块封装关键技术研究，2016-2022，课题骨干
三、代表性论文（近5年）
[1] Yumeng Cai, Peng Sun, Yuankui Zhang, Cong Chen, Zhibin Zhao, Xuebao Li, Lei Qi, Zhong Chen, and Hans-Peter Nee. Dynamic Analytical Switching Loss Model of SiC MOSFET Considering Threshold Voltage Instability[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2024, 39(11): 14630-14642.
[2] Yumeng Cai, Peng Sun, Cong Chen, Yuankui Zhang, Zhibin Zhao, Xuebao Li, Lei Qi, Zhong Chen, and Hans-Peter Nee. Investigation on Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET in Switching Operation[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2024, 39(8): 9565-9578.
[3] Yumeng Cai, Cong Chen, Zhibin Zhao, Peng Sun, Xuebao Li, Manhong Zhang, Hui Wang, Zhong Chen, and Hans-Peter Nee. Characterization of Gate-Oxide Degradation Location for SiC MOSFETs Based on the Split C–V Method Under Bias Temperature Instability Conditions[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2023, 38(5): 6081-6093.
[4] Yumeng Cai, Tong Sun, Peng Sun, Zhibin Zhao, Xuebao Li, Hui Wang, Zhong Chen, and Boyuan Cao. Influence of parasitic parameters on dynamic threshold voltage hysteresis of silicon carbide MOSFETs[J]. CSEE Journal of Power and Energy Systems, 2023, 9(6): 2251-2262.
[5] Yumeng Cai, Hao Xu, Peng Sun, Junji Ke, Eerping Deng, Zhibin Zhao, Xuebao Li, and Zhong Chen. Effect of threshold voltage hysteresis on switching characteristics of silicon carbide MOSFETs[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(10): 5014-5021.
[6] 蔡雨萌, 赵志斌, 徐子珂, 孙鹏, 李学宝. 阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的误差分析及调控方法[J]. 电工技术学报, 2022, 37(12): 3016-3027+3037.
[7] 蔡雨萌，赵志斌，梁帅，孙鹏，杨霏. 换流回路的寄生参数对碳化硅MOSFET开关特性的影响[J]. 高电压技术, 2021, 47(02): 603-614.
[8] Cong Chen, Yumeng Cai, Peng Sun, and Zhinbin Zhao. Threshold voltage instability of SiC MOSFETs under very‐high temperature and wide gate bias[J]. IET Power Electronics, 2024, 17(15): 2393-2404.
[9] Jiahui Meng, Peng Sun, Yumeng Cai, Haoran Zhang, Zhibin Zhao, and Zhen Xin. Influence of Short-Circuit Time on Short-Circuit Failure Modes of Planar Silicon Carbide MOSFETs[J]. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2024. (Early Access)
[10] 徐子珂，蔡雨萌，孙鹏，赵志斌，王威. 考虑阈值迟滞的碳化硅MOSFET开关暂态解析模型[J]. 高电压技术, 2023, 49(07): 3051-3061.
